特許
J-GLOBAL ID:200903036017674900

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-085097
公開番号(公開出願番号):特開2006-269235
出願日: 2005年03月24日
公開日(公表日): 2006年10月05日
要約:
【課題】 安定した高品質の有機EL素子の製造方法及び有機EL素子を提供する。【解決手段】 凹凸面を有する透明基板の上にスパッタリング装置を用いて透明電極として機能する透明導電膜を形成する工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、スパッタリング装置は透明基板を支持する基板電極とターゲットを支持するターゲット電極とを備えるものであって、透明導電膜を形成する工程は、基板電極とターゲット電極のそれぞれに高周波電力を供給する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
凹凸面を有する透明基板の上にスパッタリング装置を用いて透明電極として機能する透明導電膜を形成する工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、 前記スパッタリング装置は前記透明基板を支持する基板電極とターゲットを支持するターゲット電極とを備えるものであって、 前記透明導電膜を形成する工程は、前記基板電極と前記ターゲット電極のそれぞれに高周波電力を供給することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (6件):
H05B 33/10 ,  C23C 14/40 ,  G09F 9/00 ,  H05B 33/02 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28
FI (6件):
H05B33/10 ,  C23C14/40 ,  G09F9/00 338 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28
Fターム (22件):
3K007AB03 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB06 ,  3K007DB03 ,  3K007EA04 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029FA04 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許:
出願人引用 (7件)
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