特許

J-GLOBAL ID：200903036056156542

透明導電膜の製造方法

発明者： 川畑 敬志 ,  田中 武 ,  廣瀬 全孝 ,  沖田 貞文 ,  安岡 美記
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040851
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252431
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 還元劣化性を向上した透明導電膜の製造方法を提供する。【構成】 基板上に熱分解法によりSnO2を主成分とする透明導電性薄膜を形成後、室温以上の温度に保持し、エタノール蒸気を含む雰囲気中で処理する。【効果】 酸化錫薄膜表面にSn-OH結合を増加させることができ、もって水素プラズマ還元劣化を防止することが可能となった。透明電極上に非晶質Si太陽電池を作製する際の、透明電極の還元劣化が防止でき、光電変換効率を高めることが可能となった。

請求項（抜粋）：

基板上に熱分解法によりSnO2 を主成分とする透明導電性薄膜を形成後、室温以上の温度に保持し、エタノール蒸気を含む雰囲気中で処理することを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/205