特許
J-GLOBAL ID：200903036069121861
パワーモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-271502
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111619
出願日： 2002年09月18日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】小型化で、アプリケーションとの接続方法の選択の幅が広く、電磁ノイズによる誤動作がなく、製造工数が少ないパワーモジュールを得る。【解決手段】本発明のパワーモジュールは、パワー半導体チップ1のベアチップを実装したベアチップ実装エリア31を形成する金属系絶縁基板4と、パワー半導体チップの電極を接続した第1の樹脂回路基板5と、保護回路実装エリア33とドライブ回路実装エリア34および外部接続用部品実装エリア35を形成した第2の樹脂回路基板8とからなり、第2の樹脂回路基板を金属系絶縁基板上に設け第1の樹脂回路基板と第2の樹脂回路基板とを接続し、第1の樹脂回路基板とパワー半導体チップの電極とを、はんだボールにより接続し、金属系絶縁基板と第2の樹脂回路基板はピンヘッダ7もしくは、めっきスルーホールにて接続し、第1の樹脂回路基板と第2の樹脂回路基板とを、はんだ層を介して接続したものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に配線層を設けた少なくとも1枚の基板と、その上に設けたヒートシンクと、さらにその上に実装された複数のパワー半導体チップとを有するパワーモジュールにおいて、
前記基板は、前記パワー半導体チップのベアチップが実装されベアチップ実装エリアを形成する金属系絶縁基板と、前記金属系絶縁基板と対向する側に前記パワー半導体チップの電極を接続した第1の樹脂回路基板と、保護回路を形成した保護回路実装エリアとドライブ回路を形成したドライブ回路実装エリアおよび外部接続用部品実装エリアを形成した第2の樹脂回路基板とからなり、前記第2の樹脂回路基板を前記金属系絶縁基板上に設け前記第1の樹脂回路基板と前記第2の樹脂回路基板とを接続し、前記第1の樹脂回路基板と前記パワー半導体チップの電極とを、はんだボールにより接続し、前記金属系絶縁基板と前記第2の樹脂回路基板はピンヘッダもしくは、めっきスルーホールにて接続し、前記第1の樹脂回路基板と前記第2の樹脂回路基板とを、はんだ層を介して接続したことを特徴とするパワーモジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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