特許
J-GLOBAL ID：200903036091289113
薄膜サーミスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007837
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199304
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】B定数を大きくしかつ導電率を高くするという相反する条件を満たす小型かつ低抵抗のサーミスタ素子を製造する。【解決手段】サーミスタ素子はプラズマCVD法により製造される。原料ガスはモノシランとメタンガスとの混合ガスを水素ガスにより希釈したものであり、ドーパントガスとしてジボランを用いる。原料ガスに対するドーパントガスの流量比は1%以上とし、水素ガスの原料ガスに対する流量比は4以下とする。プラズマCVDの際の放電の電力密度は110mW/cm2 以上とし、原料ガスの流量は40〜60sccmとする。この条件で製造すれば、係数(σ0 )が大きくなり、B定数の低下を防止しながらも導電率を大きくとることができる。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法を用いてサーミスタ素子として機能する半導体薄膜を形成するにあたり、放電の電力密度を110mW/cm2 以上としたことを特徴とする薄膜サーミスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01C 7/02
, H01C 7/04
, H01L 21/205
H01C 7/02
, H01C 7/04
, H01L 21/205
