多結晶半導体材料、その製造方法、それを用いた半導体装置及びその評価方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239752
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087241
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】キャリア移動度を向上させることが可能な多結晶半導体材料、その製造方法、それを用いた半導体装置及びその評価方法を提供する。【解決手段】 Si、Ge、もしくはSiGeからなる多結晶半導体材料であって、その中にH原子を含有し、SiもしくはGeとHとの結合のうち、モノハイドライド構造の数がそれよりも高次のハイドライド構造の数よりも多い。言い換えれば、ラマン分光分析により測定した局在振動子モードのモノハイドライド構造に対応するピーク強度が、それより高次のハイドライド構造に対応するピーク強度より大きい。

請求項（抜粋）：

Si、Ge、もしくはSiGeからなる多結晶半導体材料であって、その中にH原子を含有し、SiもしくはGeとHとの結合のうち、モノハイドライド構造の数がそれよりも高次のハイドライド構造の数よりも多い多結晶半導体材料。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/66 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/66 N , H01L 29/78 624 , H01L 29/78 627 E , H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭64-061062
特開昭58-197775
特開昭59-043575

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