特許

J-GLOBAL ID：200903036094339987

半導体発光素子およびその製法

発明者： 尺田 幸男
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128187
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312442
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 MOCVD装置でGaN系半導体層のエッチングを可能にし、GaN系半導体層のエピタキシャル成長の途中でエッチング工程の必要な電流注入領域を画定する電流阻止層が発光層の近くに形成された半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】 基板1上に形成されたチッ化ガリウム系化合物半導体からなり、少なくとも第1導電型の半導体層(n型クラッド層3)および第2導電型の半導体層(p型クラッド層5)を有する発光層(活性層4およびクラッド層3、5)と、該発光層の近傍に第2導電型の半導体層内に設けられ、電流を流す領域が除去された第1導電型の電流阻止層7と、前記第1導電型の半導体層および第2導電型の半導体層にそれぞれ接続される電極11、12とを有する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたチッ化ガリウム系化合物半導体からなり、少なくとも第1導電型および第2導電型の半導体層を有する発光層と、該発光層の近傍で第2導電型の半導体層内に設けられ、電流を流す領域が除去された第1導電型の電流阻止層と、前記第1導電型および第2導電型の半導体層にそれぞれ接続される電極とを有する半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-239252   出願人：ローム株式会社