特許
J-GLOBAL ID：200903088050328708
半導体レーザ
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-239252
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107247
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 ストライプ溝が形成された電流阻止層を有する半導体レーザにおいて、ストライプ溝以外への電流のもれを防止し、発光効率の向上した半導体レーザを提供する。【構成】 活性層5を上下両面から挟む上下クラッド層4、6の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する電流阻止層7a、7b、7cを備えたダブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流阻止層が、該電流阻止層周囲のクラッド層の導電型と異なる導電型の層を分離して2層以上有する。
請求項（抜粋）：
活性層を上下両面から挟む上下クラッド層の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する電流阻止層を備えたダブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流阻止層が、該電流阻止層周囲のクラッド層の導電型と異なる導電型の層を分離して2層以上有する半導体レーザ。
引用特許：
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