特許

J-GLOBAL ID：200903036096660006

半導体装置用ステム

発明者： 西川 誠 ,  山本 猛
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120643
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284640
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 鉄系素材にパラジウムめっき皮膜を形成しても耐食性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性およびはんだ付け性に優れた半導体装置用ステムを提供することを目的とする。【解決手段】 鉄材からなるステムと、鉄-ニッケル合金からなるリードで構成された半導体装置用ステムの金属部表面に無電解ニッケル-リンめっき皮膜を1.0μm形成し、その上に無電解銅めっき皮膜を1.0〜2.0μm形成し、その上に無電解ニッケル-リン合金めっき皮膜を3〜5μm形成し、その上に無電解パラジウムめっき皮膜を0.1〜0.2μm形成し、さらにその上に無電解金めっき皮膜を0.01〜0.05μm形成した。

請求項（抜粋）：

鉄または鉄系合金を素材金属とする半導体装置用ステムの金属部表面に無電解銅めっき皮膜を形成し、その上に無電解ニッケル-リンまたはニッケル-ボロンめっき皮膜を形成し、さらにその上に無電解パラジウムまたはパラジウム合金めっき皮膜を形成したことを特徴とする半導体装置用ステム。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/52

FI (3件)：

H01L 23/12 S ,  C23C 18/16 B ,  C23C 18/52 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-236251
  
• 半導体装置用リードフレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-213579   出願人：日立電線株式会社, 株式会社日立製作所
• 特開平4-337657