特許
J-GLOBAL ID：200903036099915153

合金化された半導体量子ドットおよび合金化された濃度勾配量子ドット、これらの量子ドットを含むシリーズ、ならびにこれらに関する方法

発明者：
ニー、シャミン

ニー、シャミン について

, 
ベイリー、ロバート イー.

ベイリー、ロバート イー. について


出願人/特許権者：
インディアナ ユニヴァーシティ リサーチ アンド テクノロジー コーポレイション

インディアナ ユニヴァーシティ リサーチ アンド テクノロジー コーポレイション について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-532489
公開番号（公開出願番号）：特表2007-514133
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】【解決手段】少なくとも2つの半導体の合金を含む合金化された半導体量子ドット(この量子ドットは、均質な組成を有しかつ少なくとも2つの半導体のモル比に非線形に関連するバンドギャップエネルギーによって特徴付けられる);それに関連する合金化された半導体量子ドットのシリーズ;第1の半導体および第2の半導体の合金を含む濃度勾配量子ドット(第1の半導体の濃度は量子ドットのコアから量子ドットの表面まで徐々に増大し、第2の半導体の濃度は量子ドットのコアから量子ドットの表面まで徐々に減少する);それに関連する濃度勾配量子ドットのシリーズ;in vitroおよびin vivoでの使用方法;ならびに合金化された半導体量子ドットおよび濃度勾配量子ドットならびにそれらに関連する量子ドットのシリーズを作製する方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも2つの半導体の合金を含む合金化された半導体量子ドットであって、均質な組成を有しかつ少なくとも2つの半導体のモル比に非線形に関連するバンドギャップエネルギーによって特徴付けられる、半導体量子ドット。
IPC (3件)：
G01N 33/58 ,  H01L 29/06 ,  G01N 21/64
FI (4件)：
G01N33/58 Z ,  H01L29/06 601D ,  H01L29/06 601N ,  G01N21/64 Z
Fターム (24件)：
2G043AA03 ,  2G043BA16 ,  2G043CA04 ,  2G043DA01 ,  2G043EA01 ,  2G043EA03 ,  2G043FA01 ,  2G043FA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB28 ,  2G043JA01 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043LA03 ,  2G045AA13 ,  2G045AA16 ,  2G045CA25 ,  2G045CB03 ,  2G045DA12 ,  2G045DA36 ,  2G045FA11 ,  2G045FB03 ,  2G045FB07
引用文献：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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