特許

J-GLOBAL ID：200903036112089780

磁場のB成分を測定するための装置、磁場センサおよび電流計

発明者： ヘニング ハウエンシュタイン
出願人/特許権者： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (3件)： 矢野 敏雄 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-591844
公開番号（公開出願番号）：特表2004-527134
出願日： 2002年05月03日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

領域(20)に第1の電場の場分布(50)が、第1の電場のx成分がx方向において絶対値的に単調増加していくように設定されているという装置(10)、磁場センサおよび電流計が提案される。

請求項（抜粋）：

磁場のB成分(12)を測定するための装置(10)であって、 該装置(10)は領域(20)を有しており、 導入個所(21)において導入方向(31)に従って荷電キャリア(30)が導入可能であり、 荷電キャリア(30)はまず、実質的に導入方向(31)に沿って移動し、 導入方向(31)はB成分(12)に対して垂直方向に設定されており、 導入個所(21)は前記領域(20)に関して実質的に真ん中に設けられている という形式の装置において、、 前記領域(20)に第1の電場の場分布(50)が、前記導入個所(21)から出発して、B成分(12)に対して実質的に垂直であると同時に前記導入方向(31)に対しても実質的に垂直に設けられているx方向において第1の電場のx成分がx方向において絶対値的に単調増加していくように設定されている ことを特徴とする装置。

IPC (1件)：

H01L43/06

FI (2件)：

H01L43/06 Z ,  H01L43/06 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭49-022235
  
• 特開昭58-042282
  
• ホ-ル効果素子を有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-281745   出願人：サンケン電気株式会社