特許
J-GLOBAL ID:200903066549243599

ホ-ル効果素子を有する半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高野 則次
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-281745
公開番号(公開出願番号):特開2000-174357
出願日: 1999年10月01日
公開日(公表日): 2000年06月23日
要約:
【要約】【課題】電気回路のレベルの低い電流をホール素子で検出することが困難であった。【解決手段】 半導体基体に電気回路のための半導体素子4の他に電流検出用の第1及び第2のホール素子2及び3を設ける。半導体素子4の電流が流れる導体層5を半導体基体の表面上の絶縁膜20上に設ける。感度を高めるために導体層5を第1及び第2のホール素子2及び3に沿うように配置する。導体層5を流れる電流で発生した磁束を第1及び第2のホール素子2及び3に与える。感度を高めるために第1及び第2のホ-ル素子2及び3から得られる第1及び第2のホ-ル電圧の加算値を得る。
請求項(抜粋):
電気回路の電流を測定するための半導体装置であって、ホール効果素子を有する半導体基体と、前記半導体基体の表面に配置された絶縁膜と、平面的に見て前記ホール効果素子に沿うように前記絶縁膜の上に配置され且つ前記電気回路の電流を流すことができるように形成された導体層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 43/06 ,  G01R 15/20 ,  G01R 19/00 ,  H01L 27/22
FI (4件):
H01L 43/06 Z ,  G01R 19/00 B ,  H01L 27/22 ,  G01R 15/02 B
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • 特開昭61-097574
  • 特開昭63-142876
  • 電流センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-277211   出願人:富士通株式会社
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