特許
J-GLOBAL ID：200903036129286415
EMC用近磁界プローブ及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231288
公開番号（公開出願番号）：特開平9-080098
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】この発明は、空間分解能が十分ではなく、計測帯域も不十分である場合が多いいう課題を解決しようとするものである。【解決手段】 この発明は、表面が絶縁されたフレキシブルな基板13と、この基板13の上に1平面上で構成された金属薄膜からなり傾斜して設けられて対象物の近磁界ベクトルを検出する1ターン若しくは複数ターンの巻き線11とを備えたものである。
請求項（抜粋）：
表面が絶縁されたフレキシブルな基板と、この基板の上に1平面上で構成された金属薄膜からなり傾斜して設けられて対象物の近磁界ベクトルを検出する1ターン若しくは複数ターンの巻き線とを備えたことを特徴とするEMC用近磁界プローブ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01R 29/08 F
, G01R 29/08 D
, H01Q 1/38
