特許
J-GLOBAL ID：200903036155732679

薄膜及び微細構造体の製造方法、並びに微細構造体

発明者：
森井 克行

森井 克行 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-099931
公開番号（公開出願番号）：特開2001-276726
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月09日
要約：
【要約】【目的】 溶質、溶媒の組合せによらず基板上に膜厚、組成が均一な薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 本発明は、基板に透明電極膜等の薄膜を形成する方法において、薄膜を形成するための溶液を基板に適用してこの溶液を膜化する際に、基板を急速な減圧環境下に置くことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板に薄膜を形成する方法において、前記薄膜を形成するための溶液を該基板に適用しこの溶液を膜化する際に、前記基板を急速な減圧環境下に置くことを特徴とする薄膜の製造方法。
IPC (6件)：
B05D 7/00 ,  B05D 3/12 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05K 3/10
FI (6件)：
B05D 7/00 A ,  B05D 3/12 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H05K 3/10 D
Fターム (27件)：
3K007AB04 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4D075AC01 ,  4D075BB56Z ,  4D075BB93Z ,  4D075DC21 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343AA26 ,  5E343BB23 ,  5E343BB25 ,  5E343BB72 ,  5E343BB75 ,  5E343DD12 ,  5E343DD17 ,  5E343DD20 ,  5E343DD69 ,  5E343FF05 ,  5E343GG06 ,  5E343GG08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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