特許
J-GLOBAL ID：200903036155806435
半導体基板,その製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277715
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 引っ張り歪みを受けたシリコン層をチャネル領域として利用することにより、特性のよいかつ安価な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 石英基板4の上に、高温で貼合わされた後、室温に戻すことによる熱膨張率差に起因する引っ張り歪みを受けたシリコン層が形成されている。引っ張り歪みを受けたシリコン層の一部がチャネル領域13となっており、このチャネル領域13は電子が走行するnチャネルとなっている。チャネル領域13の上には、ゲート絶縁膜15と、ゲート電極16とが形成されている。チャネル領域13の両側には、ソ-ス・ドレイン領域17,18が形成されている。チャネル領域13の伝導帯は引っ張り歪を受けてスプリットし、伝導帯端は実効質量の小さい電子がはいるバンドによって構成されるので、電子移動度の高い電子が走行する。
請求項（抜粋）：
シリコンより熱膨張係数の小さい材料からなる基板と、上記基板上に設けられ、使用温度よりも高い温度下で貼り付けられた後、使用温度に戻されることにより引っ張り歪みを受けているシリコン層とを備えている半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 27/08
