特許
J-GLOBAL ID：200903042008257515
SOIウエーハの製造方法およびSOIウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-329506
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145437
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 単結晶シリコンウエーハと絶縁基板とを結合する際に、熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等が発生せず、また、各種デバイス作製に有用な、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れ、キャリア移動度の高いSOI層(活性シリコン層)を持つSOIウエーハとその製造方法を提供する。【解決手段】 下記工程順に多段熱処理、薄膜化処理及び気相エッチング処理をすることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。(1) 単結晶Siウエーハを絶縁基板上に室温で密着。(2) 100〜300°Cで熱処理して仮接合。(3) 単結晶Si層をアルカリエッチングで100〜250μm厚さにする。(4) 350〜500°Cで熱処理して本接合。(5) 単結晶シリコン層を研削、研磨して2〜20μm厚さにする。(6) 気相エッチングで単結晶シリコン層厚さを0.5μm以下のSOI層にする。(7) 800°C以上の熱処理を加えて結合強度を高める。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンウエーハを絶縁基板に密着させ、シリコン層を研削、研磨してSOI層を形成しSOIウエーハを製造する方法において、下記工程順に多段熱処理、薄膜化処理および気相エッチング処理をすることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。(1)単結晶シリコンウエーハを絶縁基板上に室温で密着させる。(2)100〜300°Cで熱処理して仮接合させる。(3)単結晶シリコン層をアルカリエッチングで厚さ100〜250μmにする。(4)350〜500°Cで熱処理して本接合させる。(5)単結晶シリコン層を研削、研磨して2〜20μm厚さにする。(6)気相エッチングで単結晶シリコン層の厚さを0.5μm以下のSOI層にする。(7)800°C以上の熱処理を加えて結合強度を高める。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/306
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/306 B
