特許

J-GLOBAL ID：200903036157374133

半導体装置の製造方法

発明者： 野口 隆 ,  山崎 利幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293688
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135792
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 SiGeを用いた半導体装置の製造方法では、SiGeが表出した状態におけるGeの融点以上の温度での熱処理が困難であったため、十分な結晶性が得られず、また、洗浄、イオン注入等も制限を受けていた。【解決手段】 絶縁ゲート型トランジスタのゲート材料となるSiGe膜を形成する際、または薄膜トランジスタのチャネル材料となるSiGe膜を形成して熱処理を行う際に、SiGe膜16を形成した後、該SiGe膜16上にSi膜17を被覆形成してから、SiGe膜16をGeの融点以上Siの融点未満の温度で上記熱処理を行うことにより、結晶性に優れたSiGe膜を得る。また、Si膜17が保護膜となるので、洗浄、イオン注入等が行い易くなる。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート型トランジスタのゲート材料となるシリコンゲルマニウム膜を形成する際に、前記シリコンゲルマニウム膜を形成した後、該シリコンゲルマニウム膜上にシリコン膜を被覆形成する工程と、前記シリコンゲルマニウム膜をゲルマニウムの融点以上シリコンの融点未満の温度で熱処理する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (10件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 627 F