特許
J-GLOBAL ID：200903036163614502
リ-ドフレ-ム及び半導体装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257759
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029448
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【構成】タブ1に貫通穴2を形成する。貫通穴2はタブの減肉部17を素子搭載面側に形成するようにし、これが封止樹脂の板厚内での係止部となっている。このタブの上面に素子を搭載して樹脂部5にて封止する。【効果】タブ1と樹脂部5が剥離したときのタブ1下方の樹脂部5を拘束する距離が短くなるので、水蒸気の圧力による樹脂部5の応力が低減し、リフロ-クラックを防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子を搭載するタブと、該タブの周辺にて該タブと一体に接続したリ-ド群とからなるリ-ドフレ-ムにおいて、前記タブ全面の内、少なくとも前記半導体素子が搭載される部位直下に貫通穴を形成し、かつ該貫通穴はタブの板厚内で封止樹脂が抜け出ぬようにくびれ、または段付きの係止部を形成していることを特徴とするリ-ドフレ-ム。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
