半導体マッハツェンダ変調器およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331409
公開番号（公開出願番号）：特開平7-191290
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】低電圧で動作し、かつ低導波損失の光通信・光情報処理用半導体マッハツェンダ型光変調器をMOVPE選択成長技術を用いて提供する。【構成】選択MOVPE成長を用いると、バンドギャップ波長が部分的に異なるウェハを一回の結晶成長で形成できる。選択成長の際のマスクの幅を部分的に変えることによりバンドギャップ波長を50meV以上異ならしめることが容易にできる。位相変調器部122のバンドギャップ波長は入射光波長λo p よりも少し短波長側(λa )とし、3dB分岐部121および合流部123としてはバンドギャップ波長をλa よりもさらに短波長側で入射光波長λo p に対し吸収係数の小さい波長に設定することができる。即ち、位相変調器部と3dB分岐部、合流部とで異なる幅のマスクを用いて選択MOVPE成長し、それぞれを最適のバンドギャップ波長に設定すれば、低電圧かつ低損失のマッハツェンダ変調器が歩留り良く実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも半導体第一クラッド層と、半導体導波層と、半導体第二クラッド層が順次積層された層構造を有し、入射光を2本の導波路へ1:1に分配する3dB分岐部と、3dB分岐部により分岐された2本の導波路の各々に接続された位相変調器部及び2つの位相変調器の出力を合流し1本出力光導波路へと導く合流部よりなる導波型マッハツェンダ変調器であって、前記3dB分岐部および合流部の半導体導波層のバンドギャップ波長が該位相変調器部の導波層のバンドギャップ波長よりも短波長であることを特徴とする半導体マッハツェンダ変調器。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-051672 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-219828

前のページに戻る