特許
J-GLOBAL ID：200903036188320023
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008498
公開番号（公開出願番号）：特開平9-198880
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】EEPROMにおいて、データの書込み中であってもデータの読み出しが可能になり、それを使用するシステムのデータ処理効率を大幅に改善する。【解決手段】EEPROMセルのアレイ20と、同一行のセルに接続された書込み専用のワード線および読み出し専用のワード線と、同一列のセルに接続された書込み専用のデータ線および読み出し専用のデータ線と、セルアレイに対するデータの書込み/読み出しを制御する書込み制御回路11および読み出し制御回路12と、セルアレイに対するデータの書込み中に外部から読み出し要求があった時、読み出しアドレスと書込みアドレスとが一致するか否かを検査し、アドレスが一致した場合には書込みデータの最後にロードされたデータに対するデータポーリングを出力し、アドレスが異なった場合には通常の読み出しを行うように切り換え制御する書込みアドレス制御回路13とを具備する。
請求項（抜粋）：
電気的消去・再書込み可能な不揮発性メモリセルアレイと、上記メモリセルアレイの行方向に設けられ、同一行のメモリセルに接続された書込み専用のワード線および読み出し専用のワード線と、上記メモリセルアレイの列方向に設けられ、同一列のメモリセルに接続された書込み専用のデータ線および読み出し専用のデータ線と、上記メモリセルアレイに対するデータの書込みを制御する書込み専用の書込み制御回路と、上記メモリセルアレイに対するデータの読み出しを制御する読み出し専用の読み出し制御回路と、前記メモリセルアレイに対するデータの書込み中に外部から読み出し要求があった時、読み出しアドレスと書込みアドレスとが一致するか否かを検査し、両者のアドレスが一致した場合には書込みデータの最後にロードされたデータに対するデータポーリングを出力し、両者のアドレスが異なった場合には通常の読み出しを行うように前記書込み制御回路および読み出し制御回路を切り換え制御する書込みアドレス制御回路とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
引用特許：
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