特許

J-GLOBAL ID：200903036190871339

昇華性反射防止膜とその形成方法、およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 川崎 明朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-337743
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188186
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 段差を有する下地上の絶縁膜に複数の接続孔を開口するにあたり、リソグラフィー工程での反射防止作用を有する膜を用いたクリーンな半導体装置の製造プロセスを提供する。【構成】 段差を有する下地1上に絶縁膜2を形成した後、この絶縁膜2上に昇華性反射防止膜(イオウ,ポリチアジル等)を形成し、レジスト露光時の露光光の反射を防止する。これにより、径寸法精度のよいマスク形成を可能にすると共に、反射防止膜のクリーンな昇華除去が可能となる。

請求項（抜粋）：

レジスト膜をパターニングする工程に用いるため、該レジスト膜の下層に形成する反射防止膜であって、該反射防止膜がイオウ系の昇華性材料よりなることを特徴とする昇華性反射防止膜。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/30 361 T ,  H01L 21/30 361 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149391   出願人：三菱電機株式会社