Ru膜および金属配線構造の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：竹内澄夫 , 堀明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-289731
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124464
出願日： 2007年11月07日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】高速論理回路素子に利用される配線構造において、連続したルテニウム(Ru)薄膜を容易に形成する方法を提供する。【解決手段】ルテニウム(Ru)薄膜を基板上に堆積する方法は、(i)基板表面を有機金属前駆体で処理する工程と、(ii)処理した基板表面にルテニウム前駆体を吸着させる工程と、(iii)吸着させたルテニウム前駆体を励起させた還元性ガスで処理する工程と、そして(iv)工程(ii)および(iii)を繰り返すことにより、ルテニウム薄膜を基板上に形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にルテニウム(Ru)薄膜を堆積するための方法であって、 (i)前記基板の表面を有機金属前駆体で処理する工程と、 (ii)ルテニウム前駆体を前記基板の前記処理された表面に吸着させる工程と、 (iii)前記吸着させたルテニウム前駆体を励起させた還元性ガスで処理する工程と、 (iv)前記工程(ii)および(iii)を繰り返すことにより、前記基板上にルテニウム薄膜を形成する工程と、を含む方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 21/768 , C23C 16/18 , C23C 16/34 , C23C 16/36

FI (6件)：

H01L21/285 C , H01L21/28 301R , H01L21/90 A , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/36

Fターム (68件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA10 , 4K030BA13 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA22 , 4K030BA38 , 4K030BA41 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 4M104HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR12 , 5F033WW02 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願公開第2006/0177601A1号明細書

審査官引用 (1件)

ALDによる貴金属の促進された堆積
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-067951 出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.

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