特許
J-GLOBAL ID：200903036217041228
発熱抵抗体及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348040
公開番号（公開出願番号）：特開2000-168088
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：
【要約】【課題】100Å以上500Å以下の膜厚でキャビテーション損傷と電蝕に強い耐性を有する保護膜を備えた発熱抵抗体及びその製造方法を提供する。【解決手段】先ず、薄膜形成技術によりTa-Si-Oからなる約7000Åの2層構造の膜を形成し、更にこの上に電極膜を形成し、ホトリソ技術により、電極膜には共通電極18と個別配線電極21の電極パターンを形成し、2層構造の抵抗体膜には40μm×40μmの発熱部22の発熱素子パターンを形成する。上記2層構造の抵抗体膜の上部層22bのSi/Taモル比は下部層22aのSi/Taモル比よりも小さく形成されている。このTaの多い上部層22bに対して基板温度400°Cで10分間のアニール(熱処理)を行って熱酸化させると、発熱部22上に100Å以上500Å以下のTaSiO膜の自己酸化保護層22b-1が形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に複数個設けられ、供給されたインクとの界面に発熱により気泡を発生させて、対応するノズル孔からインク滴を吐出するサーマルインクジェットヘッドの発熱抵抗体において、第1のTa-Si-O層と、該第1のTa-Si-O層上に積層され該第1のTa-Si-O層のSi/Taモル比よりも小さいSi/Taモル比の第2のTa-Si-O層と、該第2のTa-Si-O層上に形成された酸化層と、を有することを特徴とする発熱抵抗体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B41J 3/04 103 B
, B41J 3/04 103 H
2C057AF65
, 2C057AF91
, 2C057AG14
, 2C057AG46
, 2C057AG50
, 2C057AP02
, 2C057AP14
, 2C057AP52
, 2C057AQ02
, 2C057BA04
, 2C057BA13
