液晶表示装置の製造方法及びセンサの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253179
公開番号（公開出願番号）：特開平5-066422
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】大画面でしかも高性能の液晶表示装置を低コストで製造する。【構成】ガラス基板1上に形成されたa-Si薄膜2のうち、水平走査回路部及び垂直走査回路部の形成予定領域の部分にそれぞれ1ショットずつパルスレーザ光Lを照射して結晶化を行い、これらの部分に多結晶Si薄膜3a、3bを細長く形成する。これらの多結晶Si薄膜3a、3bを活性層形成用の半導体薄膜として用いて、水平走査回路部及び垂直走査回路部用の多結晶Si TFTを形成する。

請求項（抜粋）：

表示部と周辺回路部とを有する液晶表示装置の製造方法において、少なくとも上記周辺回路部の形成予定領域における基板上に形成された非晶質半導体薄膜にパルスレーザ光を照射して結晶化させることにより多結晶半導体薄膜を形成し、上記多結晶半導体薄膜を用いて上記周辺回路部のトランジスタを形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1345

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-131577
特開昭63-011989
特開平2-027320

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