特許
J-GLOBAL ID：200903036236484483
半導体ウェハのエッジを研摩するシステム及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028565
公開番号（公開出願番号）：特開平8-001495
出願日： 1995年01月04日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：
【要約】【目的】 研摩プロセスにおける効率及びスループットを大幅に向上させ得る半導体ウェハをエッジ研摩するシステム及び方法を提供する。【構成】 半導体ウェハをエッジ研摩するシステム(20,320)は、ローダ(22,326)、ポリシャ(24,328)、アンローダ(26,330)、及び制御装置(28,335)を備えている。また、半導体ウェハをエッジ研摩する方法は、ウェハ(28)及びスペーサ(30)をローダ(22)にロードして、スタック(36)を形成する段階と、スタック(36)をポリシャ(36)中に移動させる段階と、ポリシャ(34)にスタック(36)を研摩させ、次に、ウェハ(28)及びスペーサ(30)を半自動的に除去するアンローダ(26)にスタック(36)を移動させる段階とを備えている。
請求項（抜粋）：
複数の半導体ウェハをエッジ研摩するシステムにおいて、スタックを形成すべく、前記複数のウェハ及び複数のスペーサをロードするローダと、前記スタック中の前記複数のウェハのおのおののエッジを研摩するポリシャと、前記複数のスペーサをアンロードすると共に、前記ウェハをアンロードするアンローダと、を具備したことを特徴とする前記システム。
IPC (3件)：
B24B 9/00
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
