特許

J-GLOBAL ID：200903036255233734

半導体装置

発明者： 林 清志
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096996
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278818
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜の信頼性低下、及び電流駆動能力低下の問題のない、ショットキーソース・ドレインを備える半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極7を挟むように、ショットキーソース・ドレイン12を形成する。ショットキーソース・ドレイン12は、半導体基板1とショットキー接合を形成する。ショットキーソース・ドレイン12からゲート絶縁膜4下端部まで不純物拡散によりエクステンション層2を形成する。ゲート絶縁膜4の下端部が不純物拡散層上に形成されているので、ゲート絶縁膜4の信頼性が低下することがない。また、PN接合を介してチャネルへキャリア注入が行われるので、電流駆動能力の低下を回避することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記半導体基板の上面内に前記ゲート絶縁膜を挟むように形成され、端部が前記ゲート絶縁膜下端部にかからないように形成され、前記半導体基板とショットキー接合を形成するショットキーソース・ドレインと、 前記半導体基板の上面内に前記ショットキーソース・ドレインの前記端部から前記ゲート絶縁膜下端部にかかるように形成された不純物拡散層よりなるエクステンション層と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092

FI (8件)：

H01L29/78 301S ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301L ,  H01L29/50 M ,  H01L29/48 M ,  H01L29/44 L ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F

Fターム (64件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF14 ,  4M104FF32 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG45 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-242754   出願人：ソニー株式会社