特許

J-GLOBAL ID：200903036265524338

異種材料を利用した半導体装置

発明者： 杉山 隆英 ,  石子 雅康
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-195640
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039893
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】高耐圧で、pn接合での電圧降下が小さく、電極との接触抵抗が低く、リーク電流が小さい半導体装置を実現する。【課題を解決するための手段】面状電極28とSiGe層26とSi層24,22がその順に積層された半導体装置であり、SiGe層26は第1導電型であり、SiGe層側のSi層24は第1導電型であり、反対側のSi層22は第2導電型であり、Si層24とSi層22の間にpn接合が形成されている。SiGe層はSi1-xGexで構成されており、Si層に接する部分でxは実質的に0.0であり、面状電極に接する部分でxは実質的に1.0であり、xはその間において連続的に変化している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

面状電極と第1半導体材料層と第2半導体材料層がその順に積層された半導体装置であり、第1半導体材料層は第1導電型であり、第2半導体材料層の第1半導体材料層側は第1導電型であるとともに反対側は第2導電型であって両者間にpn接合が形成されており、第1半導体材料は第2半導体材料のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを持つ材料と第2半導体材料の複合材料であり、小さなバンドギャップを持つ材料の存在比率が第2半導体材料層側で小さく面状電極側で大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861

FI (5件)：

H01L29/78 655C ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/91 H ,  H01L29/78 658E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-008772   出願人：富士通株式会社