特許
J-GLOBAL ID：200903027764762283
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008772
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214680
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 MOSトランジスタ等の引き出し電極のコンタクト抵抗を低減することができ、しかも、高温での熱処理に対する電気的特性の安定した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10上に形成され、ゲート電極18とソース/ドレイン拡散層22とを有するトランジスタと、トランジスタ上に形成され、ゲート電極18又はソース/ドレイン拡散層22に達するコンタクトホール26が形成された絶縁膜24と、コンタクトホール26内に形成され、ゲート電極18又はソース/ドレイン拡散層22に接続されたSiX(GeYC1-Y)1-X化合物層28aと、SiX(GeYC1-Y)1-X化合物層28a上に形成された金属シリサイド及び金属ゲリサイドを含む層28bとを有する引き出し電極28とを有している。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成され、ゲート電極とソース/ドレイン拡散層とを有するトランジスタと、前記トランジスタ上に形成され、前記ゲート電極又は前記ソース/ドレイン拡散層に達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記コンタクトホール内に形成され、前記ゲート電極又は前記ソース/ドレイン拡散層に接続されたSiX(GeYC1-Y)1-X化合物層と、前記SiX(GeYC1-Y)1-X化合物層上に形成された金属シリサイド及び金属ゲリサイドを含む層とを有する引き出し電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/28 301 T
, H01L 29/78 301 P
