特許
J-GLOBAL ID:200903036287800363
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
吉武 賢次
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
, 重野 隆之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-257457
公開番号(公開出願番号):特開2009-088332
出願日: 2007年10月01日
公開日(公表日): 2009年04月23日
要約:
【課題】基板上の表面角の異なる領域を選択的に局所加熱することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】第1の領域と前記第1の領域と面方位が異なる第2の領域が形成された基板6の前記第2の領域へ偏光した光を入射する照射部1〜5と、前記第2の領域からの前記偏光した光の反射光が入射される回転検光子8と、回転検光子8を介して前記反射光を受光し、前記反射光の強度を検出する光検出器9と、回転検光子8の回転角度及び前記検出された強度に基づいて前記第2の領域の屈折率を算出する解析部10と、基板6へレーザを照射するレーザ照射部12、13と、前記屈折率に基づいて前記第2の領域のブリュースター角を求め、前記第2の領域の表面に前記ブリュースター角で前記レーザが入射するようにレーザ照射部12、13を制御するコントローラ11と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の領域と、この第1の領域と面方位が異なる第2の領域が形成された基板の前記第2の領域へ偏光した光を入射する照射部と、
前記第2の領域からの前記偏光した光の反射光が入射される回転検光子と、
前記回転検光子を介して前記反射光を受光し、前記反射光の強度を検出する光検出器と、
前記回転検光子の回転角度及び前記検出された強度に基づいて前記第2の領域の屈折率を算出する解析部と、
前記基板へレーザを照射するレーザ照射部と、
前記屈折率に基づいて前記第2の領域のブリュースター角を求め、前記第2の領域の表面に前記ブリュースター角で前記レーザが入射するように前記レーザ照射部を制御するコントローラと、
を備える半導体製造装置。
IPC (6件):
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/823
, H01L 27/092
FI (6件):
H01L21/268 J
, H01L21/20
, H01L29/78 301S
, H01L29/78 301P
, H01L27/08 321E
, H01L27/08 321C
Fターム (77件):
5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA10
, 5F048BA14
, 5F048BB06
, 5F048BB07
, 5F048BB08
, 5F048BB12
, 5F048BC15
, 5F048BC18
, 5F048BD01
, 5F048BE03
, 5F048BF06
, 5F048BG13
, 5F048DA25
, 5F048DA27
, 5F048DA30
, 5F140AC01
, 5F140AC28
, 5F140BA01
, 5F140BA20
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BG09
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG22
, 5F140BG26
, 5F140BG30
, 5F140BG34
, 5F140BG39
, 5F140BG45
, 5F140BG51
, 5F140BG53
, 5F140BG56
, 5F140BH27
, 5F140BJ01
, 5F140BJ08
, 5F140BK02
, 5F140BK09
, 5F140BK12
, 5F140BK13
, 5F140BK18
, 5F140BK21
, 5F140BK23
, 5F140BK29
, 5F140BK34
, 5F140BK39
, 5F140CB04
, 5F140CE18
, 5F140CF04
, 5F152AA02
, 5F152AA06
, 5F152AA17
, 5F152CC08
, 5F152CC16
, 5F152CD13
, 5F152CD23
, 5F152CE05
, 5F152CG10
, 5F152CG13
, 5F152EE10
, 5F152FF01
, 5F152FF29
, 5F152FG12
, 5F152FG29
, 5F152FH02
, 5F152FH15
, 5F152LL03
, 5F152LM02
, 5F152LM04
, 5F152LN08
, 5F152MM04
, 5F152NN03
, 5F152NQ02
, 5F152NQ04
引用特許:
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