半導体発光素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：木村満 , 毛受隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-429715
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191219
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】光取り出し効率が高く、良好な加工性および再現性で製造可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子10のウインドウ層15と保護層20との間には光透過性層19が設けられている。光透過性層19は、活性層13からの発光光について透過性である無機誘電体材料から構成され、スポンジ状あるいは軽石状のような多数の孔を有する多孔質膜から形成されている。また、光透過性層19の表面に微細な凹凸面が形成されている。凹凸面における凹凸幅および凹凸深さは、λ/4〜2λ(λ:活性層13の発光波長)の範囲に設定されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光取り出し面を有する半導体層と、前記光取り出し面上に設けられた光透過性層と、を備え、前記光透過性層は、多孔質構造を有する、ことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (7件)：

5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA65 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CA99 , 5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320372 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (7件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320372 出願人：三洋電機株式会社
発光素子および発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-109431 出願人：豊田合成株式会社
有機EL表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-311835 出願人：株式会社オートネットワーク技術研究所, 住友電装株式会社, 住友電気工業株式会社

全件表示

前のページに戻る