特許
J-GLOBAL ID：200903036294402322
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223707
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】ゲート電極の抵抗を低減し、ラッチアップ防止性能を改善した横形絶縁ゲートバイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】本発明による横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、エミッタ電極上に絶縁層を介し金属配線層を設け、金属配線層とゲート電極をコンタクトしている。
請求項（抜粋）：
主表面を有する第1導電型の第1の半導体領域と、主表面から第1の半導体領域内にのびて設けられ、それぞれストライプ形状を有する複数個の部分を有し、各部分が長手方向を揃えて長手方向と直角方向に交互に並設された第2導電型の半導体領域及び第3の半導体領域と、主表面から第2の半導体領域の各部分内に延びかつ第2の半導体領域の長手方向に沿って形成された第1導電型の第4の半導体領域と、主表面上において第1,第2及び第4の半導体領域にまたがって形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層を介して第1,第2及び第4の半導体領域にまたがって形成された多結晶半導体からなる制御電極と、第2及び第4の半導体領域に電気的に接続された第1の主電極と、主表面において第3の半導体領域に電気的に接続された第2の主電極とを有し、第1の主電極上に絶縁層を介し前記制御電極と接触する金属配線層を設けたことを特徴とする横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 654 Z
, H01L 29/78 655 Z
5F040DA27
, 5F040DC01
, 5F040EB14
, 5F040EC07
, 5F040EC16
, 5F040EC18
, 5F040EC19
, 5F040EC26
, 5F040EF01
, 5F040EJ03
