発光サイリスタおよび発光装置ならびに画像記録装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-156639
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340471
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】発光サイリスタの外部への光の取り出し効率および受光感度を高める。【解決手段】 n型半導体基板1の上に、第1のn型半導体層2,第1のp型半導体層3,第2のn型半導体層4a,第3のn型半導体層4b,第2のp型半導体層5a,第3のp型半導体層5b,第4のp型半導体層5cおよび第5のp型半導体層6を順次積層して、これら積層された半導体層の内部での発光が外部に取り出されるように構成されており、第2のn型半導体層4aおよび第3のn型半導体層5bはエネルギーギャップおよびキャリア密度が異なり、第2〜第5のp型半導体層5a,5b,5c,6はエネルギーギャップおよびキャリア密度がそれぞれ異なり、第2のp型半導体層5aはエネルギーギャップが第1のp型半導体層3より大きいことにより、外部への光の取り出し効率および受光感度の高い発光サイリスタを提供できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型半導体基板の上に、第1のn型半導体層,第1のp型半導体層,第2のn型半導体層,第3のn型半導体層,第2のp型半導体層,第3のp型半導体層,第4のp型半導体層および第5のp型半導体層を順次積層して、これら積層された半導体層の内部での発光が外部に取り出されるように構成されており、前記第3のn型半導体層はエネルギーギャップが前記第2のn型半導体層より大きく、前記第3のn型半導体層および前記第3のp型半導体層はエネルギーギャップが前記第2のp型半導体層より大きく、前記第2のp型半導体層はエネルギーギャップが前記第1のp型半導体層より大きいことを特徴とする発光サイリスタ。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (7件)：

5F041AA03 , 5F041CA07 , 5F041CA36 , 5F041CA58 , 5F041CA91 , 5F041CB22 , 5F041FF13

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭49-124992号公報
特許2577034号
特許3020177号

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審査官引用 (3件)

特開平4-336474
特許第2577034号
特許第2577089号

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