特許

J-GLOBAL ID：200903003035386135

自己走査型発光素子アレイチップ

発明者： 大野 誠治
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-341628
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243696
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 Siを構造材料として用い、Si基板上に形成した自己走査型発光素子アレイを提供する。【解決手段】 Si基板30上に格子不整合緩和層32を形成する。格子不整合緩和層32上に、エピタキシャル成長により、n形AlGaAs層14,p形AlGaAs層16,n形AlGaAs層18,p形AlGaAs層20が順次積層されている。AlGaAs層20上には、アノード電極22が、AlGaAs層18上にはゲート電極24が、GaAs基板の裏面にはカソード電極26が設けられている。

請求項（抜粋）：

Si基板と、前記Si基板上に設けられたpnpn層よりなる自己走査型発光素子アレイとを備える自己走査型発光素子アレイチップ。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 J ,  B41J 3/21 L

Fターム (18件)：

2C162AE28 ,  2C162AE47 ,  2C162AH84 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  5F041AA41 ,  5F041BB03 ,  5F041BB06 ,  5F041BB25 ,  5F041CA07 ,  5F041CA36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA82 ,  5F041DA92 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F041FF13

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平1-238962号公報
  
• 特開平2-14584号公報
  
• 特開平2-92650号公報
  
• 特開平2-92651号公報
  

審査官引用 (5件)

• 自己走査型発光装置のクロスアンダー金属配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-266867   出願人：日本板硝子株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-085205   出願人：京セラ株式会社
• 半導体装置及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-358146   出願人：キヤノン株式会社
• 光半導体チップおよび光半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-332727   出願人：ローム株式会社
• 特開平4-029374
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• アドバンスト エレクトロニクスI-1 III-V族化合物半導体, 19940520, 初版, 第3頁