半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192961
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055908
出願日： 1994年08月17日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【構成】ワ-ド線1の幅(BB' 断面)はリソグラフィ-工程による加工限界の1/4 倍まで縮小でき、隣接するワ-ド線1の間隔(BB' 断面)は、加工限界の1/4 倍まで縮小可能である。同様に、素子分離による分離幅、及び素子幅(AA'断面)も1/4 倍まで縮小可能である。【効果】以上のような構成をとることによりリソグラフィ-工程の加工限界を持って形しえされた従来の装置に比較して1/4 倍に縮小可能な半導体記憶装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数個直列に接続された素子から構成されるセルユニットがアレイ状に配列されたセルアレイと、前記セルユニットの一端に接続され、第1の方向に延在する第1の導電層と、前記セルユニットの複数の素子に接続され、お互いに分離される形で第2の方向に延在する複数の第2の導電層と、前記第2の方向に隣接するセルユニット間を所定幅をもって分離する素子分離領域とを備え、前記第2の方向の所定幅もしくはセルユニットの幅は最小加工寸法の略1/4 であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭58-098942
特開平4-275461
不揮発性半導体メモリの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-274683 出願人：新日本製鐵株式会社

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