特許
J-GLOBAL ID：200903036329680720

基板構造及びその作製法

発明者：
宮澤 誠一

宮澤 誠一 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264699
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093836
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】基板とその上に形成する半導体材料の格子定数が異なっていても欠陥の少ない良質の半導体材料を形成できる基板構造の作製方法、その基板構造である。【解決手段】基板構造は、基準面と基準面から傾いた面3を少なくとも1つ以上有する基板上に、傾いた面3から選択的に成長が発生して形成された半導体結晶膜7を有する。選択的に成長した半導体結晶膜7が、基準面にほぼ平行に横に広がることにより形成された平坦な表面を少なくとも部分的に有する。
請求項（抜粋）：
基準面と該基準面から傾いた面を少なくとも1つ以上有する基板上に、該傾いた面から選択的に成長が発生して形成された半導体結晶膜を有し、該選択的に成長した半導体結晶膜が、基準面にほぼ平行に横に広がることにより形成された平坦な表面を少なくとも部分的に有することを特徴とする基板構造。
IPC (5件)：
H01L 21/203 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01S 5/343
FI (5件)：
H01L 21/203 M ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/306 B
Fターム (39件)：
5F043AA15 ,  5F043AA16 ,  5F043AA20 ,  5F043BB08 ,  5F043BB10 ,  5F043FF05 ,  5F043GG01 ,  5F043GG06 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045DA51 ,  5F045DB04 ,  5F045HA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103DD11 ,  5F103GG01 ,  5F103GG05 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103PP20 ,  5F103RR06
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 半導体結晶成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-223418   出願人：光技術研究開発株式会社

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