特許
J-GLOBAL ID：200903035867515953
半導体結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-223418
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088185
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 アルシンに代表される有毒な金属水素化物を用いず、低温で、二次元的に制御される化合物半導体の結晶成長方法を提供する。【構成】 p型GaAs(111)B基板11の表面に、[21バー1バー]A方向沿ってメサ溝を形成し、V族原料のTDMAAsを8×10-3Paで、III族原料のTMGaを8×10-4Paで供給し、メサ12の側面上で優先的にn型GaAs13を成長させる。次に、V族原料を金属Asに変え、As4 を5×10-3Paで、MAGaを8×10-4Paで供給してGaAs13の側面にのみp型GaAs14を成長させる。次に、V族原料を再びTDMAAsにして、TDMAAs及びTMGaをともに8×10-4Paで供給して、p型GaAs15の成長を行う。【効果】TDMAAsとTMGaの圧力比を制御することにより、伝導形を制御できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の特定の領域に選択的に化合物半導体を結晶成長させる半導体結晶成長方法において、前記半導体基板上に段差を形成する第1の工程と、アルキルアミノ基を有する金属化合物と有機金属とを用いて前記化合物半導体を結晶成長させる第2の工程とを含むことを特徴とする半導体結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/20
, H01L 21/203
