特許
J-GLOBAL ID：200903036343465971
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099387
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289952
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 低誘電率の炭化水素系の有機系絶縁膜を用いた層間絶縁膜に、高精度に接続孔や溝配線用溝を形成する工程を有する、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 エッチングマスクとして、シリコーン含有レジストマスクあるいは表層シリル化レジストマスクを用い、酸素系ガスによりプラズマエッチングする。【効果】 エッチングマスク表面が酸素プラズマ照射によりSiOx 化し、エッチング耐性が向上する。したがって、有機系絶縁膜とレジストマスクとのエッチング選択比が高まり、高精度のパターニングが実現する。
請求項（抜粋）：
有機系絶縁膜を含む層間絶縁膜をパターニングする工程を有する半導体装置の製造方法において、前記パターニング工程のエッチングマスクとして、シリコーン含有レジストマスクおよび表層シリル化レジストマスクのうちのいずれか一方を用い、酸素系ガスによりプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
, H01L 21/3213
H01L 21/90 M
, H01L 21/28 M
, H01L 21/302 J
, H01L 21/88 D
, H01L 21/90 B
