特許
J-GLOBAL ID：200903036353738976

撮像装置

発明者：
若林 準人

若林 準人 について

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佐藤 麻紀

佐藤 麻紀 について

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工藤 義治

工藤 義治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-210732
公開番号（公開出願番号）：特開2008-042305
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】CMOSイメージセンサ等の撮像装置においてゲート酸化膜へのストレスを増やすことなく、残像防止や白点防止の最適化を行う。【解決手段】温度特性付き参照電圧回路や温度検出回路を用いてチャージポンプ回路等の電圧制御回路を制御し、画素内の転送トランジスタに印加する電圧値を制御する。これにより、環境条件(温度)が変化した際に、残像を少なくするための転送トランジスタに印加する昇圧電圧と、暗電流による白点の増加を防ぐ負電圧を、電位差がほぼ等しくなるように制御することができ、ゲート酸化膜へのストレスを増やすことなく、画素の残像、白点の最適化を行うことができる。これにより酸化膜を厚膜化するなどによる対応が不要になり、製造コストの低減を実現できる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
所定の物理量の変化を検知する検知部と、 所定の単位信号を出力する単位信号生成部と、 通常の動作電圧とは異なるローカル電圧を生成するローカル電圧生成部と、 前記検知部で検知した物理量の変化に基づいて前記単位信号を出力する所定の端子にローカル電圧を供給する電圧制御部と、 を有することを特徴とする撮像装置。
IPC (2件)：
H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H04N5/335 P ,  H01L27/14 A
Fターム (24件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  5C024AX01 ,  5C024CX11 ,  5C024CX17 ,  5C024EX15 ,  5C024GX02 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX02 ,  5C024HX17 ,  5C024HX35 ,  5C024HX37 ,  5C024HX41 ,  5C024HX44 ,  5C024HX46 ,  5C024HX47 ,  5C024HX50
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 固体撮像装置
    公報種別：再公表公報   出願番号：JP2003004338   出願人：ソニー株式会社
  • 冷却型固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-182764   出願人：浜松ホトニクス株式会社
  • 特開昭60-200687
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審査官引用 (4件)
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