ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153209
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321320
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【目的】逆電流からソフトリカバリーさせる高速ダイオードを提供する。【構成】第1の導電形で高濃度の第1の半導体層1と、この第1の半導体層上に形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層2と、この第2の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電形で低濃度の第3の半導体層3と、この第3の半導体層の表面からその内部に形成された第2の導電形で高濃度の第4の半導体層4とを設けた。

請求項（抜粋）：

第1の導電形で高濃度の第1の半導体層と、上記第1の半導体層上に形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層と、上記第2の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電形で低濃度の第3の半導体層と、上記第3の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電型で高濃度の第4の半導体層とを設けたダイオード。

引用特許：

審査官引用 (1件)

整流用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-037573 出願人：新電元工業株式会社

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