特許
J-GLOBAL ID：200903036368392820

高周波モジュール基板およびその製造方法

発明者：
中俣 克朗

中俣 克朗 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (1件)： 小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350866
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189869
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 小型化が可能で、各機能ブロック間の相互干渉を低減することができ、且つ量産性に適した高周波モジュール基板を提供する。【解決手段】 高周波モジュール基板は、主表面に各種回路素子が実装される誘電体基板1と、誘電体基板1の主表面に複数のキャビティを形成するために立設された誘電体壁2と、誘電体基板の主表面に設けられるアース電極81と、上端部が誘電体壁の上端から露出し、下端部においてアース電極81に接続されてなる垂直アース電極21と、垂直アース電極21の上端部と接続され、複数のキャビティ上方を覆う導電性材料でなるシールキャップ71とを備える。
請求項（抜粋）：
セラミック誘電体層を積層してなり主表面に各種回路素子が実装される誘電体基板と、前記誘電体基板の主表面に複数のキャビティを形成するために、前記誘電体基板上に立設される誘電体壁と、前記誘電体基板の主表面に設けられるアース電極と、上端部が前記誘電体壁の上端から露出し、下端部において前記アース電極に接続されてなる垂直アース電極と、前記垂直アース電極の上端部と接続され、前記複数のキャビティ上方を覆う導電性材料でなるシールキャップと、を備える高周波モジュール基板。
IPC (4件)：
H01L 25/00 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/12 301 ,  H05K 1/02
FI (4件)：
H01L 25/00 A ,  H01L 23/04 F ,  H01L 23/12 301 Z ,  H05K 1/02 N
引用特許：
審査官引用 (6件)
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