半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095857
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274170
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】下層配線に接続口に対するマージンを設けなくても、下層配線-上層配線間の接続を良好に行いうるようにする。【構成】シリコン基板11上にシリコン酸化膜12、下層配線となる多結晶シリコン膜13、BPSG膜14を形成する〔(a)図〕。開口部を有するフォトレジスト膜15を形成し〔(b)図〕、これをマスクに、開口部のサイズによるエッチング速度差が少なくかつエッチング速度の大きい条件にて、多結晶シリコン膜13の表面が現れる直前までエッチングする〔(c)図〕。その後、サイズの大きい開口部でのエッチング速度がサイズの小さい開口部でのエッチング速度より十分大きい条件でエッチングを行う〔(d)図〕。バリアメタル層16、Al合金膜17からなる上層配線を形成する〔(e)図〕。

請求項（抜粋）：

下層配線上の層間絶縁膜の所望の位置に、前記下層配線に達する接続口をドライエッチング法により形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、少なくとも前記接続口形成工程の最終段階においては、0.1μm以下のサイズのドライエッチングのエッチング速度が、前記接続口の最小サイズのエッチング速度の3分の1以下である条件でエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/28 L , H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-196625
接続孔形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-336671 出願人：ヤマハ株式会社

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