特許

J-GLOBAL ID：200903036398616804

薄膜の成長方法及び装置

発明者： 羽深 等 ,  黛 雅典 ,  楯 直人 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284233
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124865
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 不純物や汚染物が反応容器の内壁面に吸着する量を抑制し、かつ内壁面に吸着した不純物や汚染物を容易に除去できるようにする。【構成】 反応容器3内に半導体結晶基板1を配置し、反応容器3の壁を冷媒で強制的に冷却しながら半導体結晶基板1を加熱し、反応容器3内に原料ガス5を供給して半導体結晶基板1上に薄膜9を成長する方法において、薄膜9の成長工程以外の工程で、反応容器3の壁の温度を薄膜9の成長工程時よりも高温にする。

請求項（抜粋）：

反応容器内に半導体結晶基板を配置し、前記反応容器の壁を冷媒で強制的に冷却しながら前記半導体結晶基板を加熱し、前記反応容器内に原料ガスを供給して前記半導体結晶基板上に薄膜を成長する方法において、薄膜の成長工程以外の工程で前記反応容器の壁の温度を、薄膜の成長工程時における反応容器の壁の温度よりも高温にすることを特徴とする薄膜の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-181331
  
• 特開昭61-247685