特許
J-GLOBAL ID：200903036430456768
酸化インジウム薄膜の形成方法、該酸化インジウム薄膜を用いた半導体素子用基体及び光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296424
公開番号（公開出願番号）：特開平11-117091
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【目的】 大規模な装置を必要とせず、高温に加熱することなくして、高速で、均一膜厚で均質な大面積の酸化インジウム薄膜を形成することを可能にする成膜方法を提供する。【構成】 少なくとも硝酸イオンとインジウムイオンを含有してなる水溶液(102)に導電性基体(103)と対向電極(104)を浸漬し、該導電性基体と対向電極との間に通電することにより、酸化インジウム薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化インジウム薄膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
少なくとも硝酸イオンとインジウムイオンを含有してなる水溶液に導電性基体と対向電極を浸漬し、該導電性基体と対向電極との間に通電することにより、酸化インジウム薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化インジウム薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C25D 9/08
, C01G 15/00
, H01B 13/00 503
, H01L 31/04
, H01L 31/10
C25D 9/08
, C01G 15/00 B
, H01B 13/00 503 B
, H01L 31/04 H
, H01L 31/10 H
