特許
J-GLOBAL ID：200903036433782330
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177503
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027505
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】この発明は、電界効果トランジスタやHEMT等の半導体装置及びその製造方法に於いて、ゲート電極の寄生容量を低減し、且つゲート長の広がりを低減することを特徴とする。【解決手段】化合物半導体基板11表面上に、第1の絶縁膜12、第2の絶縁膜13及び第3の絶縁膜14が順次積層される。次いで、第1、第2、第3の絶縁膜12、13、14にそれぞれ第1、第2、第3の開口部15、16、17が形成されてる。そして、各絶縁膜の開口部15〜17を通って化合物半導体基板11の表面に接すると共に、第3の絶縁膜14の上に、T字型ゲート電極18が形成される。このT字型ゲート電極18は、T字型ゲート電極の脚部18aとT字型ゲート電極上部の張り出し部18bとから構成されており、第2の絶縁膜13とT字型ゲート電極の脚部18aの間には空洞19が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体表面上に形成されて開口部を有する絶縁膜と、上記開口部に脚部を配置すると共に上記絶縁膜上に張り出し部分が形成されたT字型ゲート電極と、このT字型ゲート電極の上記脚部と上記絶縁膜との間に形成された空洞部とから成る半導体装置に於いて、上記絶縁膜は少なくとも3層の多層絶縁膜で構成され、該多層絶縁膜のうち少なくとも最上層と最下層の絶縁膜の開口部を、該最上層と最下層の絶縁膜の間に位置する中間絶縁膜の開口部より小さく形成し、上記最下層の絶縁膜の開口部の幅を規定することにより上記T字型ゲート電極の脚部の幅を規定することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
