特許
J-GLOBAL ID：200903036490650245
半導体発光素子層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159296
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008186
出願日： 1994年06月18日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 簡単な構成でフッ素による半導体膜の特性劣化を来すことなく、効率良く窒化ガリウム系薄膜を形成可能な半導体素子層形成方法を提供する。【構成】 真空中で基板7上に窒化ガリウム系薄膜を形成する方法において、窒素源として三塩化窒素または三フッ化窒素と水素原子を含むガスとを用いる。
請求項（抜粋）：
真空中で基板上に窒化ガリウム系薄膜を形成する方法において、窒素源として三塩化窒素を用いることを特徴とする窒化ガリウム系薄膜からなる半導体発光素子層の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C01B 21/06
, H01L 21/205
, H01L 33/00
