特許
J-GLOBAL ID：200903036533162410
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-069593
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259991
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】位相シフトマスクを用いたパターン形成において、不要パターンをエッチングする際に所望パターンの後退を抑制することができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】レベンソン型位相シフトマスクを用いて被加工層パターン4を形成した後、不要パターン4bに選択的に不純物をイオン注入して不要パターン4bのエッチングレートを上げた後に、不要パターン4bをエッチングにより除去する。イオン注入により不要パターン4bのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク6の開口部6aの広がり量αを抑制することができる。また、たとえ開口部6aの寸法がαだけ広がり、本来除去されるべきでない所望パターン4aの一部が露出しても、露出した所望パターン4aはイオン注入が行われておらずエッチングレートが低いため、パターンの後退を抑制することができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
被加工層上に感光膜を形成する工程と、
前記感光膜を位相シフトマスクを用いて露光し、現像により感光膜パターンを形成する工程と、
前記感光膜パターンをエッチングマスクとして、前記被加工層をエッチングして被加工層パターンを形成する工程と、
前記感光膜パターンを除去する工程と、
前記被加工層パターンのうち不要パターンを露出する開口をもつエッチングマスク層を形成する工程と、
前記エッチングマスク層の開口に露出した前記不要パターンにエッチング速度を促進し得る不純物を導入する工程と、
前記エッチングマスク層の開口に露出した前記不要パターンをエッチングにより除去する工程と、
前記エッチングマスク層を除去する工程と
を有するパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 570
, G03F7/20 521
, H01L21/30 502C
