特許
J-GLOBAL ID：200903048985151804
フォトマスクとそれを用いた電子部品の電極パターン作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314151
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157833
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、レベンソン型位相シフト方式による微細な電極パターンを形成する電子部品において、1度のフォトリソプロセスで微細な電極パターンを形成しうるフォトマスクと前記電極パターンの作成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 位相反転膜5を具備し電極パターンを形成するための形成マスクパターン2と、不要な電極パターンを除去するための除去マスクパターン3とを同一のマスク上に配置したフォトマスク1で構成し、形成マスクパターンの露光と、除去マスクパターンの露光を行った後、1回のフォトリソプロセスによって微細な電極パターンを得る方法である。
請求項（抜粋）：
位相反転膜を具備し電極パターンを形成するための形成マスクパターンと、不要な電極パターンを除去するための除去マスクパターンとを同一のマスク上に配置してなるフォトマスク。
引用特許：
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