特許
J-GLOBAL ID：200903036544319523

半導体装置およびその製造方法

発明者：
▲高▼藤 裕

▲高▼藤 裕 について

, 
糸賀 隆志

糸賀 隆志 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (4件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-280036
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119636
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】単結晶Si薄膜を有する特性の安定した大型かつ安価な基板であり、単結晶Si薄膜の接合強度および接合界面に働く応力にムラやバラツキのない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1上に堆積されたSiO2膜2上に、多結晶Si薄膜4と単結晶Si薄膜5とを形成する。絶縁基板1と単結晶Si薄膜5との間における規格化された線膨張の差は、概ね室温以上600°C以下の温度範囲において、約250ppm以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に多結晶Si薄膜と単結晶Si薄膜とがそれぞれ異なる領域に形成されている半導体装置であって、 上記絶縁基板と上記単結晶Si薄膜との規格化された線膨張の差は、概ね室温以上600°C以下の温度範囲において、約250ppm以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (6件)：
H01L27/12 B ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627G
Fターム (80件)：
2H092GA59 ,  2H092JA22 ,  2H092JA23 ,  2H092JA25 ,  2H092JA31 ,  2H092JA33 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB25 ,  2H092MA06 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA22 ,  2H092MA23 ,  2H092MA30 ,  2H092MA31 ,  2H092NA21 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA01 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F052JA05 ,  5F052KB04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP27 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (5件)
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