特許
J-GLOBAL ID：200903025171590548
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023847
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231909
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 少ない工程で、且つ分離の際のデバイス形成層への影響を少なくした薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子及び/又は半導体集積回路140を備えた半導体膜110を分離層100上に有する部材120を用意する工程、該部材120を流体の圧力により該分離層で分離する分離工程、及び該分離工程後該半導体膜をチップ化するチップ化工程を有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体素子及び/又は半導体集積回路を備えた半導体膜を分離層上に有する部材を用意する工程、該部材を流体の圧力により該分離層で分離する分離工程、及び該分離工程後該半導体膜をチップ化するチップ化工程を有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/322
, H01L 21/301
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/322 G
, H01L 21/78 L
