特許
J-GLOBAL ID：200903036544421646
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153091
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008157
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 浮遊ゲートに蓄積された電子を確実に保持して、記憶特性を高めた不揮発性半導体装置を提供する。【構成】 シリコンウエハ10の表面に、例えば 100nmのシリコン酸化膜11を形成する。そして、このシリコン酸化膜11を通してボロンイオン(B+)を所定量だけ注入する。酸化膜11を除去した後に、膜厚約5mmのトンネル酸化膜12を形成する。次に、反応炉内にウエハ10を設置して、トンネル酸化膜12の表面にポリシリコン膜13による浮遊ゲートを形成する。このポリシリコン膜13は、浅い部分133及び深い部分131よりも中間の部分132の不純物濃度が高く形成される。このようにする代りに不純物濃度を連続的に変化させてもよい。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートを構成するポリシリコン膜の浅い部分及び深い部分に比べ、その中間部分のドナー不純物濃度をより高く形成したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 D
, H01L 27/10 434
