配線層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-159058
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005715
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜からの脱ガスを防止して、良好なコンタクト性の配線層を形成する。【構成】スルーホール16を形成した後、300〜500°Cの予備加熱、逆スパッタエッチを順次行ない、次に、Ti膜17を低温にてスパッタして被着させ、SOG膜14からの脱ガスを阻止する。次に、Al系膜18をスパッタして成膜する。Al系膜18のスパッタ時にSOG膜14からの脱ガスが無くなり、コンタクト性の良好な配線層が得られる。

請求項（抜粋）：

下層配線層上の吸湿性材料を含む層間絶縁膜に接続孔を開設する工程と、前記下層配線層を予備加熱する工程と、前記下層配線層を前記予備加熱より低い温度で加熱すると同時に、当該下層配線層上に金属薄膜を形成する工程と、前記金属薄膜上に金属配線層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線層の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 , H01L 21/283

引用特許：

審査官引用 (8件)

特表平6-504406
特開平3-257848
特開平1-228149

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